Sauerstoffleerstellen in Cerdioxid-Oberflächen
In dieser Arbeit wird die elektronische Struktur von Sauerstoffleerstellen in Cerdioxid-(111)-Oberflächen mithilfe des GGA+U-Formalismus' untersucht. Die Berechnungen werden von dem Vienna Ab Initio Simulation Package durchgeführt. Dabei liegt der Fokus auf den stark korrelierten f-Elektronen in Cerdioxid. Durch den Hubbard-U-Term wird versucht, diese f-Elektronen möglichst realistisch zu beschreiben. Hierzu wird zunächst eine generelle Einführung in die Dichtefunktionaltheorie, wichtige Approximationen und ...