Artikelnummer | 9783954049851 |
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Produkttyp | Buch |
Preis | 51,90 CHF |
Verfügbarkeit | Lieferbar |
Einband | Kartonierter Einband (Kt) |
Meldetext | Folgt in ca. 5 Arbeitstagen |
Autor | Hagedorn, Sylvia |
Verlag | Cuvillier |
Weight | 0,0 |
Erscheinungsjahr | 20150520 |
Seitenangabe | 176 |
Sprache | ger |
Anzahl der Bewertungen | 0 |
Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid Buchkatalog
Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
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